Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPTA42ETRLEADFREE

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CMPTA42ETRLEADFREE: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小328KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMPTA42ETRLEADFREE概述

Transistor

CMPTA42ETRLEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	50
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
表面贴装	YES
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
Base Number Matches	1

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CMPTA42E NPN

CMPTA92E PNP

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY

HIGH VOLTAGE

SILICON TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA42E and

CMPTA92E are Enhanced versions of the CMPTA42

and CMPTA92 complementary surface mount high

voltage transistors.

MARKING CODES: CMPTA42E: C1DE

CMPTA92E: C2DE

FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:

♦

BVCBO from 300V min to 350V min.

♦

BVCEO from 300V min to 350V min.

♦

hFE from 25 min to 50 min.

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

350

6.0

500

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

♦

Collector-Base Voltage

♦

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Power Dissipation

Continuous Collector Current

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TYP

SYMBOL

ICBO

IEBO

TEST CONDITIONS

VCB=200V

VEB=3.0V

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=100µA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=20mA, IB=2.0mA

VCE=10V, IC=1.0mA

VCE=10V, IC=10mA

VCE=10V, IC=30mA

VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz

VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz

350

6.0

590

475

8.7

125

110

500

450

9.6

150

105

6.0

MHz

350

0.9

MIN

CMPTA42E

CMPTA92E

MAX

250

100

UNITS

♦

BVCBO

♦

BVCEO

♦

VCE(SAT)

VBE(SAT)

♦

hFE

BVEBO

♦

hFE

♦

hFE

Cob

♦

Enhanced specification

R3 (3-February 2010)

CMPTA42ETRLEADFREE相似产品对比

	CMPTA42ETRLEADFREE	CMPTA42EBKLEADFREE	CMPTA92ETRLEADFREE	CMPTA42ELEADFREE	CMPTA92ELEADFREE
描述	Transistor	Transistor	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
配置	Single	Single	Single	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	50	50	50
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	NPN	NPN	PNP	NPN	PNP
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	75 MHz	75 MHz
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W	-	-
Base Number Matches	1	1	1	-	-

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