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SI4112-D-GM

产品描述RF and Baseband Circuit, CMOS, QFN-28
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小952KB,共36页
制造商Silicon Laboratories Inc
标准  
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SI4112-D-GM概述

RF and Baseband Circuit, CMOS, QFN-28

SI4112-D-GM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码QFN
包装说明HVQCCN,
针数28
Reach Compliance Codecompliant
模拟集成电路 - 其他类型PHASE LOCKED LOOP
JESD-30 代码S-XQCC-N28
JESD-609代码e3
长度5 mm
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量28
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度5 mm
关于AD转换结果问题
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