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SKIIP37AC126V1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 97A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP2-68
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准  
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SKIIP37AC126V1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 97A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP2-68

SKIIP37AC126V1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X68
针数68
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)97 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X68
JESD-609代码e2
元件数量6
端子数量68
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)510 ns
标称接通时间 (ton)95 ns

SKIIP37AC126V1文档预览

SKiiP 37AC126V1
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT - Inverter
Values
Units
Diode - Inverter
MiniSKiiP
®
3
3-phase bridge inverter
SKiiP 37AC126V1
Target Data
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT - Inverter
min.
typ.
max.
Units
Features
Typical Applications
Diode - Inverter
Temperature Sensor
Mechanical Data
AC
1
17-03-2004 SCT
© by SEMIKRON
SKiiP 37AC126V1
Fig. 1 Output characteristic
Fig. 2 Rated current vs. temperature
Fig. 3 Typ. transfer characteristic
Fig. 4 Reverse bias safe operating area
Fig. 5 Typ. Turn-on /-off energy = f (I
C
)
Fig. 6 Typ. Turn-on /-off energy = f (R
G
)
2
17-03-2004 SCT
© by SEMIKRON
SKiiP 37AC126V1
Fig. 7 Typ. gate charge characteristic
Fig. 8 Typ. thermal impedance
Fig. 9 Typ. freewheeling diode forward characteristic
3
17-03-2004 SCT
© by SEMIKRON
SKiiP 37AC126V1
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
4
17-03-2004 SCT
© by SEMIKRON

 
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