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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB736BW4-T1B-AT
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2SB736BW4-T1B-AT

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小307KB，共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SB736BW4-T1B-AT概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236VAR

2SB736BW4-T1B-AT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.3 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)200
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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