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DI150S_10

产品描述1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小79KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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DI150S_10概述

1.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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DI150S~DI1510S
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.5 Amperes
Recongnized File #E111753
FEATURES
• Plastic material used carries Underwriters Laboratory recognition 94V-O
• Low leakage
• Surge overload rating-- 50 amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
406
10.3
MECHANICAL DATA
0.098(2.5)
0.086(2.2)
Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique results in
inexpensive product
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Polarity symbols molded or marking on body
Mounting Position: Any
Weight: 0.0105 ounce, 0.3 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a x i m u m R M S B r i d g e In p u t V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt TA = 4 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
I
2
t R a t i n g f o r f u s i n g ( t < 8 . 3 5 m s )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e D r o p p e r B r i d g e E l e m e nt
a t 1 .0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l t h e r m a l r e s i s t a n c e p e r l e g ( ( N o t e 2 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
NOTES:
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
I
2
t
V
F
I
R
C
J
J A
J L
T
J
TA
D I1 5 0 S
50
35
50
D I1 5 1 S
100
70
100
D I1 5 2 S
200
140
200
D I1 5 4 S
400
280
400
1 .5
50
10
1 .1
5 .0
500
25
40
15
D I1 5 6 S
600
420
600
D I1 5 8 S D I1 5 1 0 S
800
560
800
1000
700
1000
U N IT S
V
V
V
A
A
A
2
t
V
μA
pF
O
C / W
O
-5 0 to + 1 2 5
-5 0 to + 1 5 0
C
C
O
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 X 0.5"(13 X 13mm) copper pads
REV.0.1-MAR.18.2010
PAGE . 1
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