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AS7C331MNTF18A-10BI

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
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文件大小441KB,共22页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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AS7C331MNTF18A-10BI概述

ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

AS7C331MNTF18A-10BI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

AS7C331MNTF18A-10BI相似产品对比

AS7C331MNTF18A-10BI AS7C331MNTF18A-85BIN AS7C331MNTF18A-10BC AS7C331MNTF18A-10BCN AS7C331MNTF18A-10BIN AS7C331MNTF18A-85BI AS7C331MNTF18A-85BC AS7C331MNTF18A-85BCN
描述 ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165 ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40 TBGA, BGA165,11X15,40
针数 165 165 165 165 165 165 165 165
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 10 ns 8.5 ns 10 ns 10 ns 10 ns 8.5 ns 8.5 ns 8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 100 MHz 83 MHz 83 MHz 83 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
JESD-609代码 e0 e3/e6 e0 e3/e6 e3/e6 e0 e0 e3/e6
长度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bi
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165 165 165
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18 1MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA
封装等效代码 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40 BGA165,11X15,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.23 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.23 mA 0.23 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH Tin/Lead (Sn/Pb) PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
宽度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
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