AS7C331MNTF18A-85BIN,AS7C331MNTF18A-85BIN pdf中文资料,AS7C331MNTF18A-85BIN引脚图,AS7C331MNTF18A-85BIN电路-Datasheet-电子工程世界

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AS7C331MNTF18A-85BIN: 产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小441KB，共22页; 制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]; 标准

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AS7C331MNTF18A-85BIN概述

ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165

AS7C331MNTF18A-85BIN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e3/e6
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

AS7C331MNTF18A-85BIN相似产品对比

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描述	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	8.5 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e3/e6	e0	e3/e6	e0	e3/e6	e0	e0	e3/e6
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.25 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.23 mA	0.25 mA	0.25 mA	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

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