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2SD2672T146

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD2672T146概述

Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3 PIN

2SD2672T146规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-96
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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