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AM29LV116BB120EE

产品描述2MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, TSOP-40
产品类别存储    存储   
文件大小599KB,共40页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29LV116BB120EE概述

2MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, TSOP-40

AM29LV116BB120EE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP-40
针数40
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间120 ns
其他特性MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量40
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP40,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度10 mm
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