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SCM23C256E-3

产品描述Memory IC
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文件大小219KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SCM23C256E-3概述

Memory IC

SCM23C256E-3规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

SCM23C256E-3相似产品对比

SCM23C256E-3 SCM23C256E-2 883/23C256MC 883/23C256MD SCM23C256C-1 SCM23C256C-2 SCM23C256C-3 SCM23C256E-1 SCM23C256MC
描述 Memory IC Memory IC MASK ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 MASK ROM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 MASK ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28
包装说明 , , DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
是否Rohs认证 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
最长访问时间 - - 150 ns 150 ns 100 ns 120 ns 150 ns 100 ns 150 ns
JESD-30 代码 - - R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-PDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 - - e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 - - 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 - - MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 - - 8 8 8 8 8 8 8
端子数量 - - 28 28 28 28 28 28 28
字数 - - 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 - - 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
最高工作温度 - - 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 125 °C
组织 - - 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 - - CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC
封装代码 - - DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 - - DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 - - 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 - - 0.025 mA 0.025 mA 0.025 mA 0.025 mA 0.025 mA 0.025 mA 0.025 mA
标称供电电压 (Vsup) - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 - - NO NO NO NO NO NO NO
技术 - - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 - - MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL MILITARY
端子面层 - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 - - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 - - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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