30A, 60V, 0.056ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 30 A |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.056 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SJ495 | 2SJ495-S12-AZ | 2SJ495-AZ | |
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描述 | 30A, 60V, 0.056ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN | 2SJ495-S12-AZ | 2SJ495-AZ |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SFM | MP-45F | MP-45F |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | , | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | compli | compli |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | - | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 30 A | - | 30 A |
最大漏极电流 (ID) | 30 A | - | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.056 Ω | - | 0.056 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | - | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W | - | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A | - | 120 A |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
Brand Name | - | Renesas | Renesas |
制造商包装代码 | - | PRSS0003AK-A3 | PRSS0003AK-A3 |
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