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2SJ495-S12-AZ

产品描述2SJ495-S12-AZ
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SJ495-S12-AZ概述

2SJ495-S12-AZ

2SJ495-S12-AZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
零件包装代码MP-45F
包装说明,
针数3
制造商包装代码PRSS0003AK-A3
Reach Compliance Codecompli
Factory Lead Time1 week
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

2SJ495-S12-AZ相似产品对比

2SJ495-S12-AZ 2SJ495-AZ 2SJ495
描述 2SJ495-S12-AZ 2SJ495-AZ 30A, 60V, 0.056ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
零件包装代码 MP-45F MP-45F SFM
包装说明 , FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli unknow
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1
Brand Name Renesas Renesas -
制造商包装代码 PRSS0003AK-A3 PRSS0003AK-A3 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) - 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 - 0.056 Ω 0.056 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 - P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 35 W 35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 120 A 120 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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