2SB852KT146/A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SB852KT146/A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.3 A
集电极-发射极最大电压	32 V
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	1000
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
VCEsat-Max	1.5 V
Base Number Matches	1

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2SB852KT146/A相似产品对比

	2SB852KT146/A	2SB852KT147/B	2SB852KT147B	2SB852KT146/AB	2SB852KT147/AB	2SB852KT147/A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	300mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A	0.3 A
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	1000	5000	5000	1000	1000	1000
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
集电极-发射极最大电压	32 V	32 V	-	32 V	32 V	32 V
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	-	200 MHz	200 MHz	200 MHz
VCEsat-Max	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V

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