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2SD1779K

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-260VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小137KB,共2页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD1779K概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-260VAR

2SD1779K规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)2000
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

2SD1779K相似产品对比

2SD1779K 2SD1779M 2SD1779L
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-260VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-260VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-260VAR
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 2000 800 1200
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
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