电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1767T100/P

产品描述Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD1767T100/P概述

Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SD1767T100/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
2SD1767 / 2SD1859
Transistors
Medium power transistor (80V, 0.7A)
2SD1767 / 2SD1859
Features
1) High breakdown voltage, BV
CEO
=80V, and
high current, I
C
=0.7A.
2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238.
External dimensions
(Unit : mm)
2SD1767
4.0
1.0
2.5
0.5
1.5
0.4
(1)
3.0
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
2SD1767
2SD1859
Tj
Tstg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Limits
80
80
5
0.7
1
0.5
2
1
150
−55
to
+150
∗2
∗3
0.5
(3)
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
°C
°C
∗1
1.5
0.4
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0.4
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
2SD1859
6.8
2.5
∗1
Pw=10ms, duty=1/2
∗2
When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
∗3
Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm
2
or larger.
Type
Package
h
FE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SD1767
MPT3
PQR
2SD1859
ATV
QR
TV2
2500
(1) (2) (3)
2.54 2.54
0.5
Denotes
h
DC
T100
1000
1.05
14.5
Packaging specifications and h
FE
0.65Max.
1.0
0.9
4.4
1.5
0.45
Taping specifications
FE
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
80
80
5
120
Typ.
0.2
120
10
Max.
0.5
0.5
0.4
390
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
I
C
=50µA
I
C
=2mA
I
E
=50µA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
/I
C
=3V/0.1A
V
CE
=10V,
I
E
=−50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Conditions
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
4.5
1.6
(2)
Rev.A
1/2

2SD1767T100/P相似产品对比

2SD1767T100/P 2SD1767T100/R 2SD1767T100/Q 2SD1859TV2/Q 2SD1859TV2/R
描述 Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e2 e2 e2 e1 e1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES NO NO
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 FLAT FLAT FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - -
针数 - 3 3 3 3
最大集电极电流 (IC) - 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A
集电极-发射极最大电压 - 80 V 80 V 80 V 80 V
最小直流电流增益 (hFE) - 120 120 120 180
极性/信道类型 - NPN NPN NPN NPN
标称过渡频率 (fT) - 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz
如何 设计开关电源
如何设计一个简单的开关电源,输出5V,3A。输入220V...
lqlkmqj 电源技术
招聘PLC硬件研发工程师
PLC硬件研发工程师 薪资:18-28万 (一) 岗位职责:PLC与专用控制设备的硬件与相关软件的研发近二年内主要工作内容:1、PLC产品的扩展应用硬件研发;2、PLC嵌入式软件的编程与测试;3、TSI嵌 ......
cindy95133 求职招聘
关于FRDM-KL03Z开发板SDK helloword例程编译不通过的问题
请各位高手指点 在FREESCALE官网上下载了KSDK_1.0.0-KL03Z SDK包 用KEIL V5.13编译helloword例程hello_world.uvmpw,结果报错如下 debug\hello_world.out: error: L6002U: Could not ......
andrews0925 NXP MCU
求助
79452 这是5438 datasheet 中的一段话,其中Each sector can be completely powered down to save leakage,however all data is lost.是什么意思呀~·...
zzbaizhi 微控制器 MCU
问个关于STM32的ADC的问题
现在有3个AD通道,隔一段时间就要刷新一次,但读3个通道的时间间隔要很短。我的想法是把这3个通道设置为注入模式。然后设置ADON位,使它们连续的采样,并使用扫描模式。这样我什么时候想读 ......
zhufuzhufu stm32/stm8
电缆故障自动定位系统的设计与实现
电缆故障自动定位系统的设计与实现 摘要:对于频繁发生的电信电缆中断事故,提出了一种电缆故障自动定位系统的设计方案。系统将电容检测法和电阻检测法相结合,根据定期测得的单位长度电容/电阻 ......
feifei 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2875  163  2202  1566  618  46  34  35  28  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved