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2SD1767T100/Q

产品描述700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD1767T100/Q概述

700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN

2SD1767T100/Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-62
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1

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2SD1767 / 2SD1859
Transistors
Medium power transistor (80V, 0.7A)
2SD1767 / 2SD1859
Features
1) High breakdown voltage, BV
CEO
=80V, and
high current, I
C
=0.7A.
2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238.
External dimensions
(Unit : mm)
2SD1767
4.0
1.0
2.5
0.5
1.5
0.4
(1)
3.0
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
2SD1767
2SD1859
Tj
Tstg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Limits
80
80
5
0.7
1
0.5
2
1
150
−55
to
+150
∗2
∗3
0.5
(3)
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
°C
°C
∗1
1.5
0.4
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0.4
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
2SD1859
6.8
2.5
∗1
Pw=10ms, duty=1/2
∗2
When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
∗3
Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm
2
or larger.
Type
Package
h
FE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SD1767
MPT3
PQR
2SD1859
ATV
QR
TV2
2500
(1) (2) (3)
2.54 2.54
0.5
Denotes
h
DC
T100
1000
1.05
14.5
Packaging specifications and h
FE
0.65Max.
1.0
0.9
4.4
1.5
0.45
Taping specifications
FE
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
80
80
5
120
Typ.
0.2
120
10
Max.
0.5
0.5
0.4
390
Unit
V
V
V
µA
µA
V
MHz
pF
I
C
=50µA
I
C
=2mA
I
E
=50µA
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
/I
C
=3V/0.1A
V
CE
=10V,
I
E
=−50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
Conditions
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
4.5
1.6
(2)
Rev.A
1/2

2SD1767T100/Q相似产品对比

2SD1767T100/Q 2SD1767T100/R 2SD1859TV2/Q 2SD1859TV2/R 2SD1767T100/P
描述 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN 700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e2 e2 e1 e1 e2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO NO YES
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN COPPER
端子形式 FLAT FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
针数 3 3 3 3 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A -
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V -
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 120 180 -
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN -
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz -

 
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