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2SC5729T106R: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小33KB，共3页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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2SC5729T106R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN

2SC5729T106R规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
Base Number Matches	1

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2SC5729

Transistor

Medium power transistor (30V, 0.5A)

2SC5729

Features

1) High speed switching. (Tf : Typ. : 50ns at I

= 500mA)

2) Low saturation voltage, typically

(Typ. : 150mV at I

= 100mA, I

= 10mA)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SA2047

External dimensions

(Units : mm)

(1)

0.65 0.65

UMT3

0.3

(3)

1.25

2.1

0.2

0.15

(2)

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

0.1Min.

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : UW

!Applications

Small signal low frequency amplifier

High speed switching

Structure

NPN Silicon epitaxial planar transistor

Packaging specifications

Package

Type

Code

Basic ordering unit

(pieces)

2SC5729

Taping

T106

3000

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Power dissipation

Junction temperrature

Range of storage temperature

∗

1 Pw=10ms

∗

2 Each terminal mounted on a recommended land.

Symbol

CBO

CEO

EBO

Tstg

Limits

0.5

1.0

200

150

−55~+150

Unit

°C

∗

0.7

0.9

1.3

2.0

1/3

2SC5729T106R相似产品对比

	2SC5729T106R	2SC5729T106Q
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SC-70	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	180	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e1	e1
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	300 MHz
Base Number Matches	1	1

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