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2SC5729T106Q

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SC5729T106Q概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN

2SC5729T106Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

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2SC5729
Transistor
Medium power transistor (30V, 0.5A)
2SC5729
!
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 50ns at I
C
= 500mA)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV at I
C
= 100mA, I
B
= 10mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2047
!
External dimensions
(Units : mm)
(1)
0.65 0.65
UMT3
0.3
(3)
1.25
2.1
0.2
0.15
(2)
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
0.1Min.
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UW
!Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
2SC5729
Taping
T106
3000
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperrature
Range of storage temperature
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
0.5
1.0
200
150
−55~+150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
0.7
0.9
1.3
2.0
1/3

2SC5729T106Q相似产品对比

2SC5729T106Q 2SC5729T106R
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UMT3, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SC-70 SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 180
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e1
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
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