Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY7C1367B-166BZC

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CY7C1367B-166BZC: 产品描述Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小563KB，共32页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C1367B-166BZC概述

Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165

CY7C1367B-166BZC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	220
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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CY7C1366B

CY7C1367B

9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

Features

• Supports bus operation up to 225 MHz

• Available speed grades are 225, 200 and 166 MHz

• Registered inputs and outputs for pipelined operation

• Optimal for performance (Double-Cycle deselect)

— Depth expansion without wait state

• 3.3V –5% and +10% core power supply (V

)

• 2.5V / 3.3V I/O operation

• Fast clock-to-output times

—

2.8 ns (for 225-MHz device)

— 3.0 ns (for 200-MHz device)

— 3.5 ns (for 166-MHz device)

• Provide high-performance 3-1-1-1 access rate

•

User-selectable burst counter supporting Intel



Pentium



interleaved or linear burst sequences

• Separate processor and controller address strobes

• Synchronous self-timed writes

• Asynchronous output enable

• Offered in JEDEC-standard 100-pin TQFP, 119-ball BGA

and 165-Ball fBGA packages

• IEEE 1149.1 JTAG-Compatible Boundary Scan

• “ZZ” Sleep Mode Option

Functional Description

[1]

The CY7C1366B/CY7C1367B SRAM integrates 262,144 x 36

and 524,288 x 18 SRAM cells with advanced synchronous

peripheral circuitry and a two-bit counter for internal burst

operation. All synchronous inputs are gated by registers

controlled by a positive-edge-triggered Clock Input (CLK). The

synchronous inputs include all addresses, all data inputs,

address-pipelining Chip Enable (CE

), depth-expansion Chip

Enables (CE

and CE

3[2]

), Burst Control inputs (ADSC, ADSP,

and ADV), Write Enables (BW

, and BWE), and Global Write

(GW). Asynchronous inputs include the Output Enable (OE)

and the ZZ pin.

Addresses and chip enables are registered at rising edge of

clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or

Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent

burst addresses can be internally generated as controlled by

the Advance pin (ADV).

Address, data inputs, and write controls are registered on-chip

to initiate a self-timed Write cycle.This part supports Byte Write

operations (see Pin Descriptions and Truth Table for further

details). Write cycles can be one to four bytes wide as

controlled by the byte write control inputs. GW active LOW

causes all bytes to be written. This device incorporates an

additional pipelined enable register which delays turning off

the output buffers an additional cycle when a deselect is

executed.This feature allows depth expansion without penal-

izing system performance.

The CY7C1366B/CY7C1367B operates from a +3.3V core

power supply while all outputs operate with a +3.3V or a +2.5V

supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard

JESD8-5-compatible.

Selection Guide

225 MHz

Maximum Access Time

Maximum Operating Current

Maximum CMOS Standby Current

2.8

250

200 MHz

3.0

220

166 MHz

3.5

180

Unit

Shaded areas contain advance information. Please contact your local Cypress sales representative for availability of these parts.

Notes:

1. For best–practices recommendations, please refer to the Cypress application note

System Design Guidelines

on www.cypress.com.

2. CE

is for TQFP and 165 fBGA package only. 119 BGA is offered only in 2 Chip Enable.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05096 Rev. *B

•

3901 North First Street

•

San Jose

CA 95134

•

408-943-2600

Revised February 23, 2004

CY7C1367B-166BZC相似产品对比

	CY7C1367B-166BZC	CY7C1367C-166AXIT	CY7C1367B-166BZI	CY7C1367B-166AIT	CY7C1367C-200AXCT	CY7C1366B-166BGI
描述	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX18, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP	BGA
包装说明	13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165	LQFP,	BGA,	LQFP,	LQFP,	BGA,
针数	165	100	165	100	100	119
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3 ns	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PBGA-B165	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e3/e4	e0	e0	e3/e4	e0
长度	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm	22 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	100	165	100	100	119
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	262144 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	1.6 mm	2.4 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	TIN LEAD
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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