5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 500 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SD2161 | 2SD2161-AZ | 2SD2161L-AZ | |
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描述 | 5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 | 2SD2161-AZ | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | , |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | 5 A |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 500 | 500 | 4000 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
表面贴装 | NO | NO | NO |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
零件包装代码 | SFM | SFM | - |
针数 | 3 | 3 | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - |
集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V | - |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 3 | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 260 | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz | 30 MHz | - |
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