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2SD2161

产品描述5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD2161概述

5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3

2SD2161规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2SD2161相似产品对比

2SD2161 2SD2161-AZ 2SD2161L-AZ
描述 5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 2SD2161-AZ TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 ,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 500 500 4000
极性/信道类型 NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 SFM SFM -
针数 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V -
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) 225 260 -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz -

 
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