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2SD2161-AZ

产品描述2SD2161-AZ
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SD2161-AZ概述

2SD2161-AZ

2SD2161-AZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2SD2161-AZ相似产品对比

2SD2161-AZ 2SD2161L-AZ 2SD2161
描述 2SD2161-AZ TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB 5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 , FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500 4000 500
极性/信道类型 NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 SFM - SFM
针数 3 - 3
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
集电极-发射极最大电压 100 V - 100 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 225
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz - 30 MHz
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