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2SD2150T100QS

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD2150T100QS概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD2150T100QS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)290 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

2SD2150T100QS相似产品对比

2SD2150T100QS 2SD2150T100/RS 2SD2150T100RS 2SD2150T100Q 2SD2150T100/Q 2SD2150T100/QS 2SD2150T100/QR 2SD2150T100QR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 180 180 120 120 120 120 120
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2 e2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER TIN COPPER
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 290 MHz 290 MHz 290 MHz 290 MHz 290 MHz 290 MHz 290 MHz 290 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1

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