2SD2150T100/QR,2SD2150T100/QR pdf中文资料,2SD2150T100/QR引脚图,2SD2150T100/QR电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD2150T100/QR

2SD2150T100/QR: 产品描述3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小75KB，共3页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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2SD2150T100/QR概述

3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SD2150T100/QR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN COPPER
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	290 MHz
VCEsat-Max	0.5 V
Base Number Matches	1

2SD2150T100/QR相似产品对比

	2SD2150T100/QR	2SD2150T100/RS	2SD2150T100RS	2SD2150T100Q	2SD2150T100/Q	2SD2150T100/QS	2SD2150T100QS	2SD2150T100QR
描述	3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120	180	180	120	120	120	120	120
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2	e2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER	TIN COPPER
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	290 MHz	290 MHz	290 MHz	290 MHz	290 MHz	290 MHz	290 MHz	290 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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