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FDI038AN06A0_NL

产品描述17A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB, LEAD FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小945KB,共11页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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FDI038AN06A0_NL概述

17A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB, LEAD FREE PACKAGE-3

FDI038AN06A0_NL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-262AB
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)625 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.0038 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AB
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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