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2SB1182-R-TP-HF

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小452KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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2SB1182-R-TP-HF概述

Power Bipolar Transistor,

2SB1182-R-TP-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
2SB1182-P
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SB1182-Q
2SB1182-R
PNP Silicon
Epitaxial Transistors
Features
Low
Collector Saturation Voltage
Execllent current-to-gain characteristics
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
-32
-40
-5.0
-2.0
1.5
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
K
I
C
DPAK
J
H
1
O
2
3
M
V
4
F
E
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Unless Otherwise Specified
Min
-40
-32
-5
---
---
82
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
100
---
50
Max
---
---
---
-1.0
-1.0
390
-0.8
---
---
Units
Vdc
Vdc
Q
G
Parameter
Collector-base Breakdown Voltage
(I
C
=-50uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc, I
B
=0)
Emitter-base Breakdown Voltage
(I
E
=-50uAdc, I
C
=0)
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
=-20Vdc,I
E
=0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
=-4Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-0.5Adc, V
CE
=-3.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-2Adc, I
B
=-200mAdc)
Transition Frequency
(V
CE
=-5Vdc, I
C
=-500mAdc,f=30MHz)
Collector output capacitance
(V
CB
=-10Vdc,
I
E
=0,f=1.0MHz)
Vdc
uAdc
uAdc
---
Vdc
MHz
pF
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
O
Q
V
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
0.087
0.094
0.000
0.005
0.026
0.034

0.018
0.023
0.256
0.264
0.201
0.215
0.190
0.236
0.244
0.086
0.094
0.386
0.409
0.114
0.055
0.067
0.063
0.043
0.051
0.000
0.012
0.211
MM
MIN
2.20
0.00
0.66
0.46
6.50
5.10
4.83
6.00
2.18
9.80
6.20
2.39
10.40
MAX
2.40
0.13
0.86
0.58
6.70
5.46
NOTE
A
L
B
D
PIN 1.
BASE
PIN 2.4
COLLECTOR
PIN 3.
EMITTER
CLASSIFICATION OF H
FE (1)
Rank
Range
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
2.90
1.40
1.70
1.60
1.10
1.30
0.00
0.30
5.35
www.mccsemi.com
Revision:
B
1 of
4
2013/01/01

2SB1182-R-TP-HF相似产品对比

2SB1182-R-TP-HF 2SB1182-P-TP-HF 2SB1182-P-TP 2SB1182-Q-TP 2SB1182-Q-TP-HF 2SB1182-R-TP
描述 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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