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2SB1182-P-TP

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小452KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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2SB1182-P-TP概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

2SB1182-P-TP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
2SB1182-P
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SB1182-Q
2SB1182-R
PNP Silicon
Epitaxial Transistors
Features
Low
Collector Saturation Voltage
Execllent current-to-gain characteristics
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
-32
-40
-5.0
-2.0
1.5
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
K
I
C
DPAK
J
H
1
O
2
3
M
V
4
F
E
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Unless Otherwise Specified
Min
-40
-32
-5
---
---
82
---
Typ
---
---
---
---
---
---
---
100
---
50
Max
---
---
---
-1.0
-1.0
390
-0.8
---
---
Units
Vdc
Vdc
Q
G
Parameter
Collector-base Breakdown Voltage
(I
C
=-50uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc, I
B
=0)
Emitter-base Breakdown Voltage
(I
E
=-50uAdc, I
C
=0)
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
=-20Vdc,I
E
=0)
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
=-4Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-0.5Adc, V
CE
=-3.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-2Adc, I
B
=-200mAdc)
Transition Frequency
(V
CE
=-5Vdc, I
C
=-500mAdc,f=30MHz)
Collector output capacitance
(V
CB
=-10Vdc,
I
E
=0,f=1.0MHz)
Vdc
uAdc
uAdc
---
Vdc
MHz
pF
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
O
Q
V
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
0.087
0.094
0.000
0.005
0.026
0.034

0.018
0.023
0.256
0.264
0.201
0.215
0.190
0.236
0.244
0.086
0.094
0.386
0.409
0.114
0.055
0.067
0.063
0.043
0.051
0.000
0.012
0.211
MM
MIN
2.20
0.00
0.66
0.46
6.50
5.10
4.83
6.00
2.18
9.80
6.20
2.39
10.40
MAX
2.40
0.13
0.86
0.58
6.70
5.46
NOTE
A
L
B
D
PIN 1.
BASE
PIN 2.4
COLLECTOR
PIN 3.
EMITTER
CLASSIFICATION OF H
FE (1)
Rank
Range
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
2.90
1.40
1.70
1.60
1.10
1.30
0.00
0.30
5.35
www.mccsemi.com
Revision:
B
1 of
4
2013/01/01

2SB1182-P-TP相似产品对比

2SB1182-P-TP 2SB1182-P-TP-HF 2SB1182-Q-TP 2SB1182-Q-TP-HF 2SB1182-R-TP-HF 2SB1182-R-TP
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code _compli _compli _compli _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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