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COM140T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共4页
制造商Omnirel Corp
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COM140T概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN

COM140T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

COM140T相似产品对比

COM140T COM240T COM340T COM440T
描述 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.59ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-257AA, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 200 V 400 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 14 A 14 A 10 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.12 Ω 0.21 Ω 0.59 Ω 0.9 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-257AA TO-257AA TO-257AA TO-257AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 56 A 40 A 32 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
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