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2SC3419

产品描述Medium-Power Amplifier Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3419概述

Medium-Power Amplifier Applications

2SC3419规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)13
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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2SC3419
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3419
Medium-Power Amplifier Applications.
Unit: mm
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.25 V (typ.)
(I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA)
High collector power dissipation: P
C
= 1.2 W (Ta = 25°C)
Complementary to 2SA1356
Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
40
40
5
800
80
1.2
5
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
JEDEC
°C
°C
2-8H1A
JEITA
TOSHIBA
Electrical Characteristics
(Tc = 25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE (1)
DC current gain
(Note)
h
FE (2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE (sat)
V
BE
f
T
C
ob
Test Condition
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.8 A
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 500 mA
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Weight: 0.82 g (typ.)
Min
40
70
13
50
Typ.
60
0.25
0.90
100
10
Max
1.0
1.0
240
0.8
1.1
Unit
µA
µA
V
V
V
MHz
pF
Note: h
FE (1)
classification
O: 70 to 140, Y: 120 to 240
1
2004-07-07

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