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2SC2873_04

产品描述Power Amplifier Applications Power Switching Applications
文件大小152KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC2873_04概述

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

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2SC2873
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2873
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.5 V (max) (I
C
= 1 A)
High-speed switching time: t
stg
= 1.0 µs (typ.)
Small flat package
P
C
= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)
Complementary to 2SA1213
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Collector power dissipation
P
C
(Note 1)
Junction temperature
Storage temperature range
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
2
0.4
500
1000
150
−55
to 150
2
Unit
V
V
V
A
A
JEDEC
mW
SC-62
2-5K1A
JEITA
TOSHIBA
°C
°C
Weight: 0.05 g (typ.)
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm × 0.8 t)
1
2004-07-07

2SC2873_04相似产品对比

2SC2873_04 2SC2873
描述 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications

 
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