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2SA1972_09

产品描述High-Voltage Switching Applications
文件大小158KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1972_09概述

High-Voltage Switching Applications

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2SA1972
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1972
High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
High breakdown voltage: V
CEO
=
−400
V
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
−400
−400
−7
−0.5
−1
−0.25
900
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
Note1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
TOSHIBA
2-5J1A
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
Weight: 0.36 g (typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1
2009-12-21

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描述 High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications
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