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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HB56S872ESN-6B
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HB56S872ESN-6B

产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, MOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小365KB，共30页
制造商Hitachi （Renesas ）
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56S872ESN-6B概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, MOS, DIMM-168

HB56S872ESN-6B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi （Renesas ）
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度36
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.036 A
最大压摆率1.89 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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HB56S872ESN-6B/7B/8B
8,388,608-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
168-pin JEDEC Standard Outline Unbuffered 8 byte DIMM
ADE-203-611 (Z)
Preliminary Rev. 0.0
Jun. 14, 1996
Description
The HB56S872ESN belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been
developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications.
The HB56S872ESN is a 8M
×
72 dynamic RAM module, mounted 36 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM5116405) sealed in TCP package and 1 pieces of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD).
The HB56S872ESN offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline
of the HB56S872ESN is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56S872ESN
makes high density mounting possible without surface mount technology. The HB56S872ESN provides
common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each TCP on the module
board.
Features
•
168-pin socket type package (Dual lead out)
Lead pitch: 1.27 mm
•
Single 5.0 V (±5%) supply
•
High speed
Access time: t
RAC
= 60/70/80 ns (max)
Access time: t
CAC
= 15/18/20 ns (max)
•
Low power dissipation
Active mode: 8.03/7.09/6.62 W (max)
Standby mode (TTL): 378 mW (max)
Standby mode (CMOS): 189 mW (max)
•
EDO page mode capability
•
4,096 refresh cycle: 64 ms
•
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Preliminary: This document contains information on a new product. Specifications and information
contained herein are subject to change without notice

HB56S872ESN-6B相似产品对比

HB56S872ESN-6B HB56S872ESN-7B
描述 EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, MOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, MOS, DIMM-168
厂商名称 Hitachi （Renesas ） Hitachi （Renesas ）
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 36 36
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.036 A 0.036 A
最大压摆率 1.89 mA 1.71 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL

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