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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD378
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BD378

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB，共2页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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BD378概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD378规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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^sml-Conducto'i ^Product*, One.
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005
FAX: (973) 376-8960
Silicon PNP Power Transistors
BD376/378/380
DESCRIPTION
• DC Current Gain-
: h
FE
= 20(Min)@ l
c
= -1A
• Complement to Type BD375/377/379
APPLICATIONS
• Designed for medium power linear and switching
applications
•
-t
1
2
3
PIN (.EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
TO-1 26 package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
J
C)
SYMBOL
PARAMETER
BD376
VCBO
Collector-Base Voltage
BD378
BD380
BD376
VCEO
Collector-Emitter Voltage
BD378
BD380
VEBO
Ic
I CM
VALUE
UNIT
-50
-75
-100
-45
-60
-80
-5
-2
-3
-1
25
150
V
A
A
A
W
"C
V
V
T*,r
r
-" *
— *-|
Cf*~-
s,
IT
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1
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DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
H
0
R
V
-V
K ~*
r-j
*-R
G r
•—
n
i • •
3
2 3
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25'C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
mm
MIN
10.70
7.70
2.SO
0.66
3.10
4.43
2.00
1.35
MAX
10.90
7.90
IB
PC
16.10
3.70
0.40
1.17
Tj '•
Tstg
-55-150
°c
2.30
0.8S
3.30
4.63
2,20
1,55
16.30
3.90
0.60
1.37
N.I Senii-CnnJuctors reserves the right to change tost conditions, parameter limits and package dimensions \vitlnuit
notice. Information furnished by N.I Semi-Conductors is hclic\cd to he both accurate and reliable ;il the time of point!
in pros-;. I lowcxcc, N.I Seini-Condiicfors assumes no responsihilil\r an> errors or oinissi4>ns discovered in its use.
N.I Si-nii-C 'iindiicliirs eneuuratics cii^lomers in \erily that JalasheeK are ciirivnt he I ore placing orders.

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描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
厂商名称 New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 45 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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