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BD376: 产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小68KB，共2页; 制造商New Jersey Semiconductor; 官网地址http://www.njsemi.com

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BD376概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BD376规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	New Jersey Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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^sml-Conducto'i ^Product*, One.

20 STERN AVE.

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

U.S.A.

TELEPHONE: (973) 376-2922

(212)227-6005

FAX: (973) 376-8960

Silicon PNP Power Transistors

BD376/378/380

DESCRIPTION

• DC Current Gain-

: h

= 20(Min)@ l

= -1A

• Complement to Type BD375/377/379

APPLICATIONS

• Designed for medium power linear and switching

applications

•

-t

PIN (.EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

TO-1 26 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

=25

SYMBOL

PARAMETER

BD376

VCBO

Collector-Base Voltage

BD378

BD380

BD376

VCEO

Collector-Emitter Voltage

BD378

BD380

VEBO

I CM

VALUE

UNIT

-50

-75

-100

-45

-60

-80

-5

-2

-3

-1

150

T*,r

-" *

— *-|

Cf*~-

; o

T '

{

;

H -

D-*

—w

DIM

-V

K ~*

r-j

*-R

G r

•—

i • •

2 3

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T

=25'C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

MIN

10.70

7.70

2.SO

0.66

3.10

4.43

2.00

1.35

MAX

10.90

7.90

16.10

3.70

0.40

1.17

Tj '•

Tstg

-55-150

°c

2.30

0.8S

3.30

4.63

2,20

1,55

16.30

3.90

0.60

1.37

N.I Senii-CnnJuctors reserves the right to change tost conditions, parameter limits and package dimensions \vitlnuit

notice. Information furnished by N.I Semi-Conductors is hclic\cd to he both accurate and reliable ;il the time of point!

in pros-;. I lowcxcc, N.I Seini-Condiicfors assumes no responsihilil\r an> errors or oinissi4>ns discovered in its use.

N.I Si-nii-C 'iindiicliirs eneuuratics cii^lomers in \erily that JalasheeK are ciirivnt he I ore placing orders.

BD376相似产品对比

	BD376	BD378	BD380
描述	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
厂商名称	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	45 V	60 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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