CY7C132-45DI,CY7C132-45DI pdf中文资料,CY7C132-45DI引脚图,CY7C132-45DI电路-Datasheet-电子工程世界

CY7C132-45DI: 产品描述Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48; 产品类别存储存储; 文件大小897KB，共13页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY7C132-45DI概述

Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	45 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T48
JESD-609代码	e0
长度	60.96 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	48
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

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