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2SB798G-DM-AB3-R

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2SB798G-DM-AB3-R概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3

2SB798G-DM-AB3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)110 MHz
Base Number Matches1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB798
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC
2SB798
is designed for audio frequency power amplifier
applications, especially in Hybrid Integrated Circuits.
1
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FEATURES
* Low Collector Saturation Voltage:
V
CE(sat)
< -0.4V (Ic = -1.0A, I
B
= -100mA )
* Excellent DC Current Gain Linearity :
h
FE
= 100 Typ. (V
CE
= -1.0V, I
C
= -1.0A)
SOT-89
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
2SB798L-X-AB3-R
2SB798G-X-AB3-R
2SB798L-X-AB3-R
Package
SOT-89
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
Packing
Tape Reel
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Free
(1) R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) Halogen Free, L: Lead Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R208-020.B

2SB798G-DM-AB3-R相似产品对比

2SB798G-DM-AB3-R 2SB798G-DL-AB3-R 2SB798L-DM-AB3-R 2SB798L-DL-AB3-R 2SB798L-DK-AB3-R 2SB798G-DK-AB3-R
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 135 90 135 200 200
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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