电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SB798G-DL-AB3-R

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SB798G-DL-AB3-R概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3

2SB798G-DL-AB3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)135
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)110 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB798
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC
2SB798
is designed for audio frequency power amplifier
applications, especially in Hybrid Integrated Circuits.
1
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FEATURES
* Low Collector Saturation Voltage:
V
CE(sat)
< -0.4V (Ic = -1.0A, I
B
= -100mA )
* Excellent DC Current Gain Linearity :
h
FE
= 100 Typ. (V
CE
= -1.0V, I
C
= -1.0A)
SOT-89
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
2SB798L-X-AB3-R
2SB798G-X-AB3-R
2SB798L-X-AB3-R
Package
SOT-89
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
Packing
Tape Reel
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Free
(1) R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) Halogen Free, L: Lead Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R208-020.B

2SB798G-DL-AB3-R相似产品对比

2SB798G-DL-AB3-R 2SB798G-DM-AB3-R 2SB798L-DM-AB3-R 2SB798L-DL-AB3-R 2SB798L-DK-AB3-R 2SB798G-DK-AB3-R
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, HALOGEN FREE PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 LEAD FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 135 90 90 135 200 200
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz 110 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
求大神指点语音播报
最近需要用到语音播报~但是一点思绪都没有~求大神指点啊~手头上现在又一块INA2134PA芯片~求大神指点~...
asd641024016 微控制器 MCU
CC1111为什么SmartRF Studio 7扫描不到?
eZ430-Chronos 手表套件里的CC1111 USB RF access point插在电脑上,然后打开SmartRF Studio 7,是不是应该能扫描到? ...
lidonglei1 无线连接
请问大神们一般怎么用STM8做延时程序
RT求一个比较简单一点的!...
zmsxhy stm32/stm8
6410的bsp中nand驱动????
我的6410用的nand是K9G8G08,一个block为0x40000大小,而bsp中nand驱动定义的相应型号块大小却为0x20000,导致eboot中nand操作异常,说的6410使用的也是这个型号nand的bsp能把eboot下的loader.h ......
rcsun 嵌入式系统
只用单片机怎么实现精确的的信号发生器
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:50 编辑 最近在做一个基于单片机的函数信号发生器的任务。一直没找到一个好方法,求分享你们的经验。 ...
369432939 电子竞赛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1185  1382  171  218  1975  58  19  1  10  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved