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2SB1275TL

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SB1275TL概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN

2SB1275TL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-63
包装说明CPT3, SC-63, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)56
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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Power Transistor (160V,
1.5A)
2SB1275 / 2SB1236A
Features
1) High breakdown voltage.(BV
CEO
=
160V)
2) Low collector output capacitance.
(Typ. 30pF at V
CB
= 10V)
3) High transition frequency.(f
T
= 50MH
Z
)
4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A.
Dimensions
(Unit : mm)
2SB1275
0.75
5.5
1.5
(3) (2) (1)
2.3
0.9
0.9
0.65
2.3
1.0
0.5
0.5
1.5
2.5
9.5
2.3
0.8Min.
5.1
6.5
C0.5
Absolute
maximum ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector
power
dissipation
2SB1275
P
C
2SB1236A
Tj
Tstg
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limits
−160
−160
−5
−1.5
−3
1
10
1
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W(Tc
=
25°C)
W
°C
°C
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base(Gate)
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
2SB1236A
1
6.8
2.5
Junction temperature
Storage temperature
0.5
(1) (2) (3)
2.54 2.54
1.05
14.5
2
0.65Max.
1.0
0.9
4.4
0.45
1 Single pulse Pw=100ms
2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm
2
or larger.
Taping specifications
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Packaging
specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SB1275
CPT3
P
TL
2500
2SB1236A
ATV
D
TV2
2500
Electrical
characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
2SB1275
2SB1236A
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
μA
μA
V
I
C
= −
50μA
I
C
= −
1mA
I
E
= −
50μA
V
CB
= −
120V
V
EB
= −
4V
I
C
/I
B
= −
1A/
0.1A
V
CE
= −
5V , I
C
= −
0.1A
V
CE
= −
5V , I
E
=
0.1A , f
=
30MHz
V
CB
= −
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
Conditions
160
160
5
82
100
50
30
1
1
2
180
200
MHz
pF
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2009.12 - Rev.B

2SB1275TL相似产品对比

2SB1275TL 2SB1236ATV2
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT3, SC-63, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 CPT3, SC-63, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code _compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 160 V 160 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 56 56
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e2 e1
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 TIN COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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