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2SC1740S-S-C

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小295KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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2SC1740S-S-C概述

Small Signal Bipolar Transistor

2SC1740S-S-C规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)270
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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2SC1740S
Elektronische Bauelemente
0.15A , 60V
NPN Plastic-Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Low C
ob
TO-92S
CLASSIFICATION OF h
FE
Product-Rank
2SC1740S-Q
Range
120~270
2SC1740S-R
180~390
2SC1740S-S
270~560
REF.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Millimeter
Min.
Max.
3.90
4.10
3.05
3.25
1.42
1.62
15.1
15.5
2.97
3.27
0.66
0.86
2.44
2.64
1.27 REF.
0.36
0.48
0.36
0.51
45°
Collector
2
3
Base
1
Emitter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Power Dissipation
Junction, Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
STG
Rating
60
50
7
150
300
150, -55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Cut–Off Current
Emitter Cut–Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
Collector Output Capacitance
Transition Frequency
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
C
ob
f
T
Min.
60
50
7
-
-
120
-
-
100
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
2
-
Max.
-
-
-
0.1
0.1
560
0.4
3.5
-
Unit
V
V
V
µA
µA
V
pF
MHz
Test Condition
I
C
=50µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50µA, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=7V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA
V
CB
=12V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=12V, I
C
= -2mA, f=100MHz
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
26-Mar-2012 Rev. A
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2SC1740S-S-C相似产品对比

2SC1740S-S-C 2SC1740S-R-C 2SC1740S-Q-C 2SC1740S-C
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 270 180 120 120
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Base Number Matches 1 1 1 -
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