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TVV030

产品描述NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小39KB,共2页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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TVV030概述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVV030
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI TVV030
is Designed for
Television Band III Applications up
to 225 MHz.
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
C
A
2x Ø N
FU LL R
D
FEATURES:
Common Emitter
P
G
= 6.0 dB at 30 W/225 MHz
Omnigold™
Metalization System
Emitter Ballasting
B
G
.725/18,42
F
E
K
M
L
MAXIMUM RATINGS
D IM
H
M IN IM U M
inches / m m
J
I
M AXIM UM
inches / m m
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
14 A
45 V
25 V
4.0 V
146 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
1.2 °C/W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
ORDER CODE: ASI10660
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
IMD
1
VSWR
I
C
= 25 mA
I
E
= 10 mA
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
45
25
4.0
UNITS
V
V
V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 30 W
I
C
= 1.0 mA
f = 1.0 MHz
I
C
= 5.0 A
f = 175-225 MHz
10
40
135
---
pF
dB
dBc
---
6.0
7.0
-50
3:1
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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