IPP126N10N3G,IPP126N10N3G pdf中文资料,IPP126N10N3G引脚图,IPP126N10N3G电路-Datasheet-电子工程世界

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IPP126N10N3G: 产品描述58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小344KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPP126N10N3G概述

58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IPP126N10N3G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	10 weeks 5 days
雪崩能效等级（Eas）	70 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	58 A
最大漏极电流 (ID)	58 A
最大漏源导通电阻	0.0126 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IPP126N10N3G相似产品对比

	IPP126N10N3G	IPB123N10N3G	IPI126N10N3G
描述	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-220AB	D2PAK	TO-262AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	4	3
Reach Compliance Code	compli	_compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	10 weeks 5 days	10 weeks 5 days	1 week
雪崩能效等级（Eas）	70 mJ	70 mJ	70 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	58 A	58 A	58 A
最大漏极电流 (ID)	58 A	58 A	58 A
最大漏源导通电阻	0.0126 Ω	0.0123 Ω	0.0126 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-263AB	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	94 W	94 W	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A	232 A	232 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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