IPI126N10N3G,IPI126N10N3G pdf中文资料,IPI126N10N3G引脚图,IPI126N10N3G电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPI126N10N3G

IPI126N10N3G: 产品描述58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小344KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPI126N10N3G概述

58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263AB

IPI126N10N3G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
雪崩能效等级（Eas）	70 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	58 A
最大漏极电流 (ID)	58 A
最大漏源导通电阻	0.0126 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IPI126N10N3G相似产品对比

	IPI126N10N3G	IPB123N10N3G	IPP126N10N3G
描述	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB	58 A, 100 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-262AA	D2PAK	TO-220AB
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	4	3
Reach Compliance Code	compli	_compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	1 week	10 weeks 5 days	10 weeks 5 days
雪崩能效等级（Eas）	70 mJ	70 mJ	70 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	58 A	58 A	58 A
最大漏极电流 (ID)	58 A	58 A	58 A
最大漏源导通电阻	0.0126 Ω	0.0123 Ω	0.0126 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	94 W	94 W	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	232 A	232 A	232 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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