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MV2103

产品描述Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小100KB,共3页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MV2103概述

Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon

MV2103规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-PBCY-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容10 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-PBCY-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.28 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数400
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压25 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MV2103相似产品对比

MV2103 MMBV2104LT1
描述 Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, CASE 318-07, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 O-PBCY-W2 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小二极管电容比 2.5 2.5
标称二极管电容 10 pF 12 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 O-PBCY-W2 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 400 400
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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