MMBV2104LT1: 产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, CASE 318-07, 3 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小100KB，共3页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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MMBV2104LT1概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, CASE 318-07, 3 PIN

MMBV2104LT1规格参数

	MMBV2104LT1	MV2103
描述	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, CASE 318-07, 3 PIN	Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	R-PDSO-G3	O-PBCY-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最小击穿电压	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小二极管电容比	2.5	2.5
标称二极管电容	12 pF	10 pF
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	O-PBCY-W2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	ROUND
封装形式	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最小质量因数	400	400
最大重复峰值反向电压	30 V	30 V
表面贴装	YES	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	WIRE
端子位置	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ