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30KP85A

产品描述30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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30KP85A概述

30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

30KP85A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压104 V
最小击穿电压94.4 V
击穿电压标称值99.2 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压137 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7 W
最大重复峰值反向电压85 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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