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HF30-28S_07

产品描述HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小15KB,共2页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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HF30-28S_07概述

HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

HF30-28S_07规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流5 A
最大集电极发射极电压35 V
端子数量4
加工封装描述0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态Active
壳体连接EMITTER
最大集电极基极电容65 pF
结构SINGLE
最小直流放大倍数5
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_codeO-CRPM-F4
元件数量1
最大工作温度200 Cel
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状ROUND
包装尺寸POST/STUD MOUNT
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_60 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

HF30-28S_07相似产品对比

HF30-28S_07 HF30-28S
描述 HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
最大集电极电流 5 A 5 A
最大集电极发射极电压 35 V 35 V
端子数量 4 4
加工封装描述 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4 0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态 Active Active
壳体连接 EMITTER EMITTER
最大集电极基极电容 65 pF 65 pF
结构 SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 5 5
最高频带 HIGH FREQUENCY BAND HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code O-CRPM-F4 O-CRPM-F4
元件数量 1 1
最大工作温度 200 Cel 200 Cel
包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状 ROUND ROUND
包装尺寸 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
larity_channel_type NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 60 W 60 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors
表面贴装 NO NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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