HF30-28S,HF30-28S pdf中文资料,HF30-28S引脚图,HF30-28S电路-Datasheet-电子工程世界

HF30-28S: 产品描述HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小15KB，共2页; 制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]

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HF30-28S概述

HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

HF30-28S规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	5 A
最大集电极发射极电压	35 V
端子数量	4
加工封装描述	0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态	Active
壳体连接	EMITTER
最大集电极基极电容	65 pF
结构	SINGLE
最小直流放大倍数	5
最高频带	HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code	O-CRPM-F4
元件数量	1
最大工作温度	200 Cel
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状	ROUND
包装尺寸	POST/STUD MOUNT
larity_channel_type	NPN
wer_dissipation_max__abs_	60 W
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

HF30-28S相似产品对比

	HF30-28S	HF30-28S_07
描述	HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR	HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
最大集电极电流	5 A	5 A
最大集电极发射极电压	35 V	35 V
端子数量	4	4
加工封装描述	0.380 INCH, STUD PACKAGE-4	0.380 INCH, STUD PACKAGE-4
状态	Active	Active
壳体连接	EMITTER	EMITTER
最大集电极基极电容	65 pF	65 pF
结构	SINGLE	SINGLE
最小直流放大倍数	5	5
最高频带	HIGH FREQUENCY BAND	HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code	O-CRPM-F4	O-CRPM-F4
元件数量	1	1
最大工作温度	200 Cel	200 Cel
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状	ROUND	ROUND
包装尺寸	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
larity_channel_type	NPN	NPN
wer_dissipation_max__abs_	60 W	60 W
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL
sub_category	Other Transistors	Other Transistors
表面贴装	NO	NO
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	RADIAL	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
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