RECTIFIER DIODE
整流二极管
| 参数名称 | 属性值 |
| 状态 | ACTIVE |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 1N5820_05 | 1N5820 | 1N5822 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| 其他特性 | - | HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS | HIGH RELIABILITY |
| 应用 | - | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
| 外壳连接 | - | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| 最大正向电压 (VF) | - | 0.475 V | 0.95 V |
| JEDEC-95代码 | - | DO-201AD | DO-201AD |
| JESD-30 代码 | - | O-PALF-W2 | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | - | 80 A | 80 A |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 相数 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | - | 125 °C | 125 °C |
| 最大输出电流 | - | 3 A | 3 A |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | - | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | - | 20 V | 40 V |
| 表面贴装 | - | NO | NO |
| 技术 | - | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
| 端子形式 | - | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | - | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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