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1N5820

产品描述RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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1N5820概述

RECTIFIER DIODE

整流二极管

1N5820规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.475 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

1N5820相似产品对比

1N5820 1N5820_05 1N5822
描述 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli - compli
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS - HIGH RELIABILITY
应用 EFFICIENCY - EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
最大正向电压 (VF) 0.475 V - 0.95 V
JEDEC-95代码 DO-201AD - DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 80 A - 80 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 125 °C - 125 °C
最大输出电流 3 A - 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 20 V - 40 V
表面贴装 NO - NO
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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