RECTIFIER DIODE
整流二极管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS |
应用 | EFFICIENCY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.475 V |
JEDEC-95代码 | DO-201AD |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 20 V |
最大反向电流 | 2000 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
1N5820 | 1N5820_05 | 1N5822 | |
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描述 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201 |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli | - | compli |
其他特性 | HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS | - | HIGH RELIABILITY |
应用 | EFFICIENCY | - | EFFICIENCY |
外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
最大正向电压 (VF) | 0.475 V | - | 0.95 V |
JEDEC-95代码 | DO-201AD | - | DO-201AD |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | - | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A | - | 80 A |
元件数量 | 1 | - | 1 |
相数 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 2 | - | 2 |
最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C |
最大输出电流 | 3 A | - | 3 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | - | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | - | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 20 V | - | 40 V |
表面贴装 | NO | - | NO |
技术 | SCHOTTKY | - | SCHOTTKY |
端子形式 | WIRE | - | WIRE |
端子位置 | AXIAL | - | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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