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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBPC2501
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GBPC2501

产品描述25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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GBPC2501在线购买

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GBPC2501概述

25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBPC2501规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明S-PUFM-D4
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压100 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
参考标准TS 16949
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
GBPC25005 - GBPC2510
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 25 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
Glass passivated junction chip
High surge current capability
High current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Pb / RoHS Free
GLASS PASSIVATED SINGLE-
PHASE BRIDGE RECTIFIERS
BR50
0.728(18.50)
0.688(17.40)
0.570(14.50)
0.530(13.40)
0.685(16.70) 1.130(28.70)
0.618(15.70) 1.120(28.40)
0.658(16.70)
0.618(15.70)
0.032(0.81)
0.028(0.71)
0.210(5.30)
0.200(5.10)
MECHANICAL DATA :
* Case : Molded plastic with heatsink integrally
mounted in the bridge encapsulation
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Bolt down on heat-sink with
silicone thermal compound between bridge
and mounting surface for maximum heat
transfer efficiency.
* Weight : 17.1 grams
0.252(6.40)
0.248(6.30)
φ
0.100(2.50)
0.090(2.30)
0.905(23.0)
0.826(21.0)
0.310(7.87)
0.280(7.11)
Metal Heatsink
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise noted.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 50 °C
Peak Forward Surge Current Single Sine Wave
Superimposed on Rated Load
Rating for fusing (non-repetitive, 1ms < t < 8.3 ms)
Maximum Instantaneous Forward
Voltage Drop Per Diode
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage Per Diode
Ta = 25 °C
Ta = 125 °C
at I
F
= 12.5 A
(1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
ӨJC
T
J,
T
STG
GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC
25005 2501 2502 2504 2506 2508 2510
50
100
200
400
600
800
1000
35
50
70
100
140
200
280
400
25
300
375
1.1
5
500
300
1.9
- 55 to + 150
420
600
560
800
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
sec
V
μA
μA
pF
°C/W
°C
Typical Junction Capacitance Per Diode (at 4 V, 1MHz)
Typical Thermal Resistance form Junction to Case
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note :
(1) Unit mounted on 5 x 6 x 4.9" AL, Finned Plate.
Page 1 of 2
Rev. 00 : June 25, 2007

GBPC2501相似产品对比

GBPC2501 GBPC2504 MBR30200FCT GBPC2508 GBPC2502 GBPC2506 GBPC2510
描述 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 25 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 - S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4
Reach Compliance Code compli compliant - compli compliant compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 100 V 400 V - 800 V 200 V 600 V 1000 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 - S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A - 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 - 4 4 4 4
相数 1 1 - 1 1 1 1
端子数量 4 4 - 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 25 A 25 A - 25 A 25 A 25 A 25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE - SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
参考标准 TS 16949 TS 16949 - TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949
最大重复峰值反向电压 100 V 400 V - 800 V 200 V 600 V 1000 V
表面贴装 NO NO - NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG - SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER - UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 - - 1 - 1

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