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MRF931

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF931概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF931规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
基于收集器的最大容量0.5 pF
集电极-发射极最大电压5 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3000 MHz

MRF931相似产品对比

MRF931 MRF2369
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
基于收集器的最大容量 0.5 pF 1 pF
集电极-发射极最大电压 5 V 15 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 50
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND L BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F4 O-PRDB-F4
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 3000 MHz 6000 MHz

 
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